多相光催化氧化技術(shù)主要有以下優(yōu)點(diǎn)：
　　(1)其氧化作用是無(wú)可選擇性的，因而可使大多數污染物光催化氧化降解；(2)采用的催化劑TiO2，其化學(xué)、光學(xué)性質(zhì)都較穩定，而且可回收并易于。
　　光催化氧化法比傳統的化學(xué)氧化法更受到世人注目。特別是納米級TiO2具有粒度細北學(xué)、可見(jiàn)光透過(guò)性好、吸收紫外光、耐熱性好等特點(diǎn)，可用做性能優(yōu)良的光催化劑。利用納米級TiO2作為催化劑，其催化活性比普通TiO2粉末(約10μm)高很多。一般可從幾個(gè)方面說(shuō)明：
　　1)從光催化機理上看，物質(zhì)的降解速度必然與光生載流子的濃度有關(guān)，納米級TiO2隨著(zhù)粒徑的減小，表面原子增加，光吸收效率提高，從而增加表面光生載流子的濃度；
　　2)在光催化反應中，催化劑表面的基團的數目將直接影響催化效果，晶體尺寸越小，粒子中原子數目也相應減少，表面原子比例增大，表面基團數目也隨之增加，從而提高反應效率；

　　3)從能帶理論上看，半導體價(jià)帶的能級代表半導體空穴的氧化電位的，任何氧化電位在半導體價(jià)帶位置以上的物質(zhì)原則上都可以被光生空穴氧化，同理，任何還原電位在半導體導帶以下的物質(zhì)，原則上都可以被光電子還原，TiO2是n型半導體，當其尺寸處于納米級時(shí)，就會(huì )產(chǎn)生與單晶半導體不同的性質(zhì)，原因在于產(chǎn)生了尺寸量子效應，即半導體的載流子被限制在一個(gè)小尺寸的勢阱中，從而導致導帶和價(jià)帶能級由連續變?yōu)榉蛛x，使能隙增大，導帶能級向負移，價(jià)帶能級向正移，從而使導帶電位更負，價(jià)帶電位更正，加強了半導體光催化劑TiO2的氧化還原能力，提高了光催化活性。從以上多方面的分析來(lái)看，選用納米級TiO2作為光催化劑有利于提高降解效率。
　　利用多相光催化氧化技術(shù)處理造紙廢水，其方法簡(jiǎn)單，占地面積小，又能避免傳統處理方法所帶來(lái)的二次污染問(wèn)題，是一種很有發(fā)展前途的水處理技術(shù)，但將這種技術(shù)投入到實(shí)際應用中還有很多工作要做。
　　首先是催化劑分離問(wèn)題，目前光催化氧化技術(shù)所采用的多為懸浮相體系，雖然降解，但因催化劑粉末顆粒細小，回收很困難，易造成隨水流失浪費?，F在很多人開(kāi)始探索各種制膜方法，如將催化劑牢固地負載于玻璃、硅片以及沙子等載體上，雖然光解效率有所下降，但為其實(shí)際應用提供了可能。研究如何提高膜的降解效率及其強度、性等，從而地將電子一空穴對加以分離，使空穴在膜表面存留的時(shí)間得以延長(cháng)，提高反應幾率。其次就目前文獻報道，大多的研究局限于單一成分的光催化氧化方面，對于如二惡英的降解效率、降解性以及控制步驟的確定等反應機理與工藝理論的研究欠深入，以實(shí)際廢水中的二惡英為對象，研究影響因子及其量子化關(guān)系，并從動(dòng)力學(xué)剖析光催化氧化的作用機理，為二惡英的光催化氧化技術(shù)打下理論基礎。第三，目前大多數的研究都局限于室驗室，如何分析各種工藝參數影響多相光催化氧化處理造紙廢水工程放大影響要素，指出了在工程放大過(guò)程中應該注意和解決的問(wèn)題，并完成了大型光催化氧化反應器的設計，以便投入實(shí)際應用中。