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    光催化氧化法惡臭廢氣治理工藝設計

    文章出處:華康中天    人氣:117     發(fā)表時(shí)間:2019-05-24

    目前處理惡臭類(lèi)廢氣傳統的方法很多,但都比較容易產(chǎn)生二次污染、運行費用高、反應器龐大等缺陷。而光催化氧化法自1988年上首例光催化凈化裝置誕生以來(lái),該法僅應用于封閉或半封閉空間中微量氣體的除臭或上,大型工程應用還未見(jiàn)有實(shí)例。為解決某些工廠(chǎng)生產(chǎn)廢氣惡臭污染周?chē)沫h(huán)境問(wèn)題,應用光催化氧化法進(jìn)行治理表明,該法具有工程投資少、運行費用省、占地面積小、廢氣停留時(shí)間短、、穩定等特點(diǎn),為惡臭污染的治理進(jìn)行了新的有益探索。

      進(jìn)料混合后,通入水蒸汽中溫下加熱造粒,工藝生產(chǎn)中排出的廢氣主要便產(chǎn)生于蒸汽干燥成型工段。雖然原材料的組成復雜,但是主要成分多為動(dòng)植物蛋白質(zhì)、脂肪、纖維和添加劑,這些成分在受到蒸煮后熱解,一部分組成受熱揮發(fā),一部分組分熱解為低分子物質(zhì),這些可揮發(fā)性物質(zhì)混和后在干燥過(guò)程中隨水分散逸到空氣中,形成飼料工業(yè)的廢氣。由于這種廢氣的組分繁多,而且每種組分都有其氣味,多種氣味混雜起來(lái),就導致了飼料工業(yè)廢氣的一大特點(diǎn):具有濃郁的氣味(惡臭),這些臭味對人類(lèi)的危害主要是感官的不適。原材料和工藝的不同,臭味的類(lèi)型也不一樣。

      半導體催化劑由于其能帶是不連續的,價(jià)帶(VB)和導帶(CB)之間存在一個(gè)禁帶,當用能量等于或大于禁帶寬度的特定波長(cháng)的紫外光照射半導體光催化劑時(shí),其價(jià)帶上的電子被激發(fā),越過(guò)禁帶進(jìn)入導帶,同時(shí)在價(jià)帶上產(chǎn)生相應的空穴,即生成電子空穴。價(jià)帶空穴是的氧化劑,大多數物的光催化降解都是直接或間接利用空穴的氧化能力。光生空穴有的得電子能力,使不吸光的物質(zhì)也被氧化,空穴可以直接或間接氧化椒甚至可能同時(shí)直接或間接氧化物。

      因此利用光催化氧化作用將接觸光催化劑的水份、臭氣、、污物等成分分解,從而具有除臭、、防污、防霧的功能。

      在所有半導體催化劑中,TiO2由于其催化活性好,同時(shí)具生物惰性和化學(xué)惰性,不會(huì )發(fā)生光腐蝕和化學(xué)腐蝕,被證明具有廣泛的環(huán)境應用,而通常把粒徑小于100nm的TiO2稱(chēng)為納米TiO2,隨著(zhù)粒徑的化,其表面結構和晶體結構發(fā)生了改變,導致產(chǎn)生了量子尺寸效應及表面效應等,從而使納米TiO2與常規TiO2相比具有優(yōu)異的催化性能一光學(xué)性能、熱學(xué)性能、電學(xué)性能等,因此用于光催化作用的半導體催化劑多為納米TiO2材料。


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